芯片离子试验

检测项目

1. 表面可动离子浓度检测：钠离子含量， 钾离子含量， 氯离子含量， 其他碱金属离子含量。

2. 氧化层内部离子污染分析：栅氧化层中离子密度， 场氧化层中离子分布， 离子在介电层中的迁移特性。

3. 封装材料离子析出检测：塑封料可萃取离子含量， 芯片粘接胶离子杂质， 引线框架镀层离子污染。

4. 工艺化学品残留离子检测：蚀刻液残留阴离子， 清洗剂残留阳离子， 电镀液杂质金属离子。

5. 偏压温度应力试验后离子监测：高温栅偏压试验后阈值电压漂移分析， 离子迁移导致的漏电流变化。

6. 芯片钝化层离子阻挡性能测试：钝化层对钠离子的阻挡效率， 离子穿透深度与浓度分布。

7. 金属互连线电迁移伴生离子分析：电迁移过程中金属离子迁移行为， 界面处离子聚集现象。

8. 晶圆背面污染离子检测：研磨抛光后背面金属污染， 背面薄膜沉积引入的离子。

9. 键合界面离子污染检测：焊球与焊盘界面化合物中的离子， 键合丝表面的污染物分析。

10. 特定离子加速迁移试验：温湿度偏压加速离子迁移， 高温存储离子扩散试验。

11. 离子污染源追踪分析：通过离子种类与比例进行污染溯源， 工艺环节离子贡献度分析。

检测范围

硅晶圆、氧化硅薄膜、氮化硅钝化层、铜互连线、铝焊盘、金焊线、锡铅焊球、无铅焊料、塑封环氧树脂、聚酰亚胺钝化胶、芯片粘接银胶、陶瓷封装外壳、引线框架、晶圆背面磨削层、化学机械抛光后清洗晶圆、光刻胶残留物、蚀刻后侧壁聚合物、电镀填充铜晶种层、原子层沉积薄膜、金属有机物化学气相沉积薄膜

检测设备

1. 二次离子质谱仪：用于对芯片表面及深度方向的离子成分进行定性和定量分析；具备极高的元素检测灵敏度与纳米级深度分辨率。

2. 离子色谱仪：用于精确测定芯片表面及封装材料中可萃取阴离子和阳离子的浓度；采用化学抑制电导检测，灵敏度高。

3. 电感耦合等离子体质谱仪：用于检测芯片材料中痕量及超痕量的金属离子杂质含量；具有极低的检测限和宽线性动态范围。

4. 热脱附谱分析系统：通过程序升温使芯片中可动离子脱附并检测其电流信号；用于测试氧化层中可动电荷总量。

5. 电容电压特性测试系统：通过高频与准静态电容电压曲线测量，分析氧化层中可动离子电荷密度及界面态；用于快速测试栅介质质量。

6. 飞行时间二次离子质谱仪：用于对芯片表面有机与无机污染物进行成像和深度剖析；具有高质量分辨率和高空间分辨率。

7. 扫描俄歇微探针：用于芯片表面及界面处极表层元素的定性与半定量分析；特别适用于轻元素和离子污染物的表面分布分析。

8. 高温反偏试验系统：在高温和反向偏压条件下对芯片施加应力，加速离子迁移，测试其长期可靠性；可精确控制温度与偏压参数。

9. 恒温恒湿偏压试验箱：提供稳定的高温高湿环境并施加偏压，用于测试芯片在潮湿环境下的离子迁移与腐蚀失效行为。

10. X射线光电子能谱仪：用于分析芯片表面元素的化学态与定量组成；可检测由离子污染引起的表面化学状态变化。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.